左手材料影響諧振腔內(nèi)電磁場分布的研究.pdf

1、在用MPCVD裝置沉積金剛石膜的工藝過程中，由于技術的限制導致沉積的金剛石膜質(zhì)量較差，而且效率較低，而此問題的核心就在于MPCVD裝置中的諧振腔。傳統(tǒng)的方法是通過調(diào)整諧振腔的尺寸來改善諧振腔內(nèi)電磁場的分布和提高諧振腔的品質(zhì)參數(shù)（諧振頻率和品質(zhì)因數(shù)），或者通過引進高次模來提高諧振腔內(nèi)的電磁場強度和品質(zhì)參數(shù)，但是，實際在諧振腔的設計過程中，諧振腔的尺寸不可能無限減小，而且由于填充介質(zhì)引起的損耗以及引進高次模所帶來的模式干擾導致諧振腔內(nèi)部電磁

2、場分布的優(yōu)化受到限制，同時還導致諧振腔品質(zhì)參數(shù)的提高也變得困難。因此，本文以左手材料為核心，根據(jù)“左手材料”的特殊性質(zhì)，運用電動力學理論對諧振腔內(nèi)部電磁場分布進行計算研究，通過High Frequency Structure Simulator（簡稱HFSS）仿真軟件對諧振腔內(nèi)的場分布進行模擬。另外，還研究了填充不同屬性的左手材料對諧振腔的諧振頻率和品質(zhì)因數(shù)的影響規(guī)律。計算研究結(jié)果顯示:左手材料的填充可以改善諧振腔內(nèi)部電磁場的分布。相對