基于擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)器的偏壓電源模糊控制策略研究.pdf

1、由于電弧離子鍍技術(shù)具有沉積速率高、離化率高、膜層致密和結(jié)合力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在鍍膜工藝中得到了廣泛應(yīng)用。然而電弧離子鍍的雙放電回路使得工藝環(huán)境下會(huì)發(fā)生劇烈的負(fù)載擾動(dòng)，同時(shí)在電弧的熱作用下靶材上會(huì)產(chǎn)生熔滴顆粒，若無(wú)法保證負(fù)載擾動(dòng)下電源的輸出特性，熔滴就會(huì)穿過(guò)靶材和工件之間鞘層，到達(dá)工件膜層表面，產(chǎn)生“大顆粒現(xiàn)象”，這也是咆弧離子鍍?cè)诟咝阅苣訄?chǎng)合應(yīng)用的瓶頸，因此保證偏壓電源在擾動(dòng)下的輸出特性顯得非常重要。
　　為了滿足工藝環(huán)境下電源輸出特

2、性需求，提高工件表面的膜層性能，本文針對(duì)于偏壓電源的負(fù)載特性，提出了一種基于擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)器的模糊控制策略。文章首先在工藝環(huán)境下對(duì)電弧離子鍍負(fù)載特性進(jìn)行研究，分析了影響負(fù)載特性的因素及與系統(tǒng)輸出的關(guān)系，同時(shí)結(jié)合電弧離子鍍負(fù)載特性分析，建立了偏壓電源的數(shù)學(xué)模型；然后在基于擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)器的模糊控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)指標(biāo)利用相平而法設(shè)計(jì)了模糊控制規(guī)則，并利用李業(yè)普諾夫理論對(duì)模糊控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性進(jìn)行了分析；另外，通過(guò)在擴(kuò)張狀態(tài)觀測(cè)器建模中引