2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩62頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、代號代號分類號分類號學號學號密級密級10701TN4公開公開1111122775題(中、英文)(中、英文)目基于二元氧化物基于二元氧化物阻變存儲器的研究阻變存儲器的研究ResearchonResistiveSwitchingMemyBasedonBinaryOxides作者姓名作者姓名楊龍康楊龍康高海霞高海霞副教授副教授工學工學提交論文日期提交論文日期二〇一四年一月二〇一四年一月微電子與固體電子學微電子與固體電子學指導教師姓名指導教師姓

2、名、職稱職稱學科門類學科門類學科、專業(yè)學科、專業(yè)摘要摘要存儲器與人們的生活密切相關(guān),非揮發(fā)性存儲器則占據(jù)了存儲器市場的百分之九十以上。Flash代表著當今應用最為廣泛的非揮發(fā)性存儲器,占半導體存儲器市場的絕大份額。然而,基于傳統(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)的Flash技術(shù)遭遇到了嚴重的技術(shù)瓶頸,嚴重的影響了Flash的進一步廣泛應用。一些基于其它原理實現(xiàn)存儲功能的新型非揮發(fā)性存儲器近年來得到了人們越來越多的關(guān)注。而RRAM作為這種新型非揮發(fā)性存儲器中的一員

3、,憑借其高讀寫速度、低功耗、高集成度、低成本等優(yōu)勢成為下一代主流存儲器的重點研究對象。本文將研究RRAM的注意力集中在二元金屬氧化物材料上,因為其組份簡單且制備工藝與目前的CMOS制程相兼容。主要開展了基于TiO2、TiO2Al2O3、La2O3材料RRAM器件電阻轉(zhuǎn)變特性以及電阻轉(zhuǎn)變機制方面的研究。論文首先對RRAM阻變存儲器的基本原理,結(jié)構(gòu)和研究現(xiàn)狀進行了簡單的論述。目前世界范圍內(nèi)對RRAM研究仍然停留于初始階段,本課題實驗過程中首

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論