MEMS電容式傳感器的批量標定方法研究.pdf

1、傳統(tǒng)的高精度MEMS加速度傳感器,常用機械振動臺進行標定,這種標定方法操作繁瑣、標定效率低下。而隨著高精度MEMS傳感器大批量生產(chǎn),振動臺逐個標定的方法弊端更加明顯,無法滿足批量標定的要求。據(jù)此本文采用動態(tài)靜電力模擬標準加速度信號,從而實現(xiàn)電容式MEMS傳感器的自標定,以提高電容式高精度微加速度傳感器的標定效率。
　　第1章闡述了本文的研究目的和意義。首先介紹了傳感器標定的目的及意義以及標定方法的分類;然后介紹了MEMS加速度傳感

2、器的幾種常用標定方法;接著介紹了MEMS加速度傳感器自標定方法的產(chǎn)生和發(fā)展以及研究現(xiàn)狀,并指出了其發(fā)展趨勢;再重點介紹了本文的主要研究目的;最后簡單介紹了本文的主要研究內(nèi)容及工作安排。
　　第2章研究了高精度MEMS加速度傳感器的自標定原理。首先介紹了變間距式和變面積式電容式傳感器的基本原理;然后介紹了電容式傳感器的靜電驅(qū)動原理;接著簡單介紹了加速度傳感器的基本數(shù)學模型;最后重點研究了傳感器模型在開環(huán)和閉環(huán)工作狀態(tài)下的自標定原理,

3、并分析了實現(xiàn)傳感器自標定的方法。
　　第3章研究了電容邊緣效應對自標定方法的影響。首先介紹了電容極板的邊緣效應及其對靜電力的影響;然后分別從開環(huán)和閉環(huán)兩種工作狀態(tài)分析了邊緣效應對高精度MEMS電容式加速度傳感器自標定的影響;最后對計算結果進行了分析,結果表明:傳感器在閉環(huán)工作狀態(tài)下,邊緣效應引起的自標定誤差僅為0.18％,理論誤差接近于激光干涉儀絕對標定法的誤差(0.5%-1%),符合高精度加速度傳感器的標定要求;在開環(huán)工作狀態(tài)下

4、,邊緣效應引起的自標定誤差較大,高達24.2%,但可通過修正將自標定誤差降低到1.49%,也能滿足部分傳感器的標定要求。
　　第4章研究了DRIE工藝誤差對自標定方法的影響。首先簡單分析了DRIE工藝的誤差(梳齒傾斜角)及其對靜電力的影響;然后分別分析了開環(huán)和閉環(huán)工作狀態(tài)下,梳齒傾斜角對加速度傳感器自標定的影響;最后對計算結果進行了分析,結果表明:傳感器工作在開環(huán)電路時,梳齒的傾斜對傳感器自標定影響明顯,傾斜角為0.1時,自標定誤

5、差約為10%,傾斜角為0.5時,自標定誤差約為32%,傾斜角為0.5時,極板發(fā)生吸合;傳感器工作在閉環(huán)電路下,當傾斜角小于0.5時,自標定的誤差小于0.6%,證明在閉環(huán)狀態(tài)下傾斜角對傳感器自標定的精度影響很小,基本可以忽略。
　　第5章設計了一種新型的帶自標定功能的傳感器。首先介紹了新型傳感器的整體結構及參數(shù);接著對新型傳感器結構進行了模態(tài)分析和靜態(tài)靈敏度分析;最后通過計算表明新型傳感器結構可大幅提高傳感器驅(qū)動能力,增大自標定量程