含偶氮苯基的側(cè)鏈液晶高分子的合成及性能研究.pdf

1、含偶氮苯基的側(cè)鏈液晶高分子作為功能材料在液晶顯示、記錄存儲(chǔ)介質(zhì)和光電轉(zhuǎn)換等諸多領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用前景。設(shè)計(jì)合成新型的液晶化合物，了解結(jié)構(gòu)與液晶性能之間的關(guān)系仍然是當(dāng)前研究的重要內(nèi)容。本文根據(jù)王新久和Warner（W-W）理論設(shè)計(jì)了含偶氮苯基的聚硅氧烷液晶模型，通過(guò)改變基元結(jié)構(gòu)中的柔性部分、剛性部分及端基部分制得了一系列含不同側(cè)鏈的偶氮液晶高分子：產(chǎn)物1～6，其中產(chǎn)物2比產(chǎn)物1多出一段柔性部分-CH2CH2CH2O-；產(chǎn)物3比產(chǎn)物2多出一

2、個(gè)剛性苯環(huán)Ar；產(chǎn)物4，產(chǎn)物5和產(chǎn)物6含有不同的末端尾基，分別為：SO3H、NO2、COOH，上述六種化合物在分子設(shè)計(jì)上有遞進(jìn)關(guān)系，以便研究液晶分子結(jié)構(gòu)變化對(duì)液晶性能的影響。
　　該系列化合物結(jié)構(gòu)經(jīng)紅外（FT-IR）表征均正確；然后在偏光顯微鏡（POM）下獲取其織構(gòu)信息，表明六種化合物均為近晶型液晶，但織構(gòu)各異；再經(jīng)差示掃描量熱儀（DSC）測(cè)試得出其相變區(qū)間（熔點(diǎn) Tm～清亮點(diǎn) Ti），產(chǎn)物1：148.34～210.66℃；產(chǎn)物2

3、：140.51～192.67℃；產(chǎn)物3：176.14～230.09℃；產(chǎn)物4：191.04～274.95℃；產(chǎn)物5：155.558～226.381℃；產(chǎn)物6：164.68～251.61℃，最后對(duì)比分析得出分子結(jié)構(gòu)與其液晶性能間的關(guān)系。
　　研究表明：（1）在分子結(jié)構(gòu)框架類似的條件下，改變細(xì)微結(jié)構(gòu)不會(huì)影響液晶化合物的晶型，只會(huì)影響其織構(gòu)信息。（2）柔性鏈的嵌入會(huì)降低液晶化合物的熔點(diǎn)及清亮點(diǎn)，相變區(qū)間相應(yīng)減小。（3）增加介晶基元的剛度