半導體納米材料的制備與性能研究.pdf

1、一維納米結構如納米柱、納米帶等，由于它們具有獨特的物理特性而具有廣泛的應用，并逐漸成為一個熱門的研究領域。納米結構可以作為納米尺寸器件的制備材料，亦可以作為研究物質在納米尺度上的光學、電學、熱學和磁學特性等物理性質的理想體系。探索納米材料的可控制備，并研究其獨特的物理等性質具有重大的意義。近年來，作為寬帶隙的半導體納米材料，CdS、ZnS半導體材料具備優(yōu)異的光、電、磁等性質，一直受到科研工作者的廣泛關注。
　　因此，本文通過物理氣

2、相沉積法研究了不同形貌的CdS納米材料的制備，并研究了不同生長條件，金膜厚度、沉積溫度、載流氣體流速對CdS納米結構生長的影響，在一定程度上實現了CdS納米材料的可控生長制備。并對所制備的樣品進行了SEM、XRD、PL光譜分析。制備了ZnS納米帶結構，并以其為基礎，再次通過物理氣相法，成功合成了ZnS納米帶／CdS納米棒異質結。本文亦探索了硅微納籽晶陣列的制備工藝，通過直接氣相制備技術制備了超薄晶硅薄膜，為柔性晶硅薄膜轉移奠定了一定的基