AlGaN-GaN超晶格p型摻雜及輸運特性研究.pdf

1、作為第三代半導體材料的代表，GaN材料具有大禁帶寬度(0.75～6.2eV)、強極化效應(GaAs的4～5倍)、高臨界場強(2MV/cm)、高載流子飽和速率(2×107cm/s)和高熱導率(1.3W/cmK)等優(yōu)異的特點。GaN材料以及基于GaN材料的各種器件在近十年中得到了系統(tǒng)和深入的研究。目前GaN微波功率器件已經(jīng)在軍用雷達和航天領域得到了初步的應用；在民用領域中，各種GaN LED和LD器件已經(jīng)廣泛應用于汽車電子和高端照明設備。但

2、是GaN基器件，尤其是AlGaN/GaN多層結構的應用與開發(fā)仍然存在著較多的問題值得深入的研究。特別是AlGaN/GaN超晶格由于能夠通過調節(jié)Al組份和周期長度等結構參數(shù)來人為的控制器件的能帶形狀，因而在高頻振蕩器、發(fā)光器件和探測器等眾多領域有著廣泛的應用前景。此外GaN基材料現(xiàn)在仍然面臨著許多的問題，特別是GaN材料的p型摻雜始終沒有很好的解決，這一問題嚴重的制約著HBT和LED等需要高質量p型材料器件的發(fā)展。本文正是在這一背景下，針

3、對超晶格結構的特點在超晶格p型摻雜以及外加太赫茲電場下的穩(wěn)態(tài)非線性響應兩個方面進行了研究。
　　 在超晶格p型摻雜方面，本文在分析了現(xiàn)有GaN p型摻雜技術所面臨的困難與不足后，提出了利用超晶格結構提高GaN材料p型摻雜效果的方案。隨后系統(tǒng)的研究了超晶格結構摻雜的機理，分析了超晶格周期長度和Al組份對摻雜效果的影響。優(yōu)化了MOCVD技術生長摻Mg AlGaN/GaN超晶格的實驗條件，通過Hall、PL譜、HRXRD和AFM測試驗

4、證了AlGaN/GaN超晶格摻Mg方案的有效性。取得了以下關于AlGaN/GaN超晶格摻Mg的成果和結論：
　　 1.超晶格的空穴微帶效應和界面應力是超晶格結構增強p型摻雜效果的機理。超晶格形成的空穴微帶能夠降低AlGaN材料中受主元素的激活能，使得受主的離化率得到提高。同時界面張應力的存在使得受主Mg 更容易摻入勢壘層中。
　　 2．極化效應和界面應力引起的高導帶斷續(xù)對AlGaN/GaN超晶格的空穴微帶有較大的影響。考

5、慮極化效應和界面應力時AlGaN/GaN超晶格的平均空穴濃度比不考慮這些效應時高約一個量級。
　　 3．通過實驗驗證了對于極化效應和界面應力作用的理論分析和計算，優(yōu)化了超晶格周期長度、Al組份和反應室壓力等參數(shù)。認為高的反應室壓力、Al組份以及約十納米的超晶格周期長度有利于摻雜效率的提高。
　　 4．獲得了電阻率為0.31Ω·cm，空穴濃度為4.36x1018/cm3的AlGaN/GaN超晶格樣品。這一結果優(yōu)于目前GaN

6、體材料p型摻雜的結果，證明了超晶格結構在p型摻雜中的作用，這一結果對于LED和HBT等器件具有一定的應用價值。
　　 在AlGaN/GaN超晶格在外加太赫茲電場下的穩(wěn)態(tài)非線性響應方面，本文進行了以下的工作：
　　 首先，針對AlGaN/GaN異質結的特點，建立了包含界面應力和極化效應的導帶斷續(xù)模型。使用單個勢阱中電子的基態(tài)波函數(shù)作為基，利用緊束縛模型構建了AlGaN/GaN超晶格的色散模型，并對各種條件下的色散關系進行了