量子點(diǎn)半導(dǎo)體光放大器理論研究與InAs量子點(diǎn)工藝生長.pdf

1、由于量子點(diǎn)擁有獨(dú)特的δ態(tài)密度函數(shù)和三維強(qiáng)量子限制效應(yīng)，以量子點(diǎn)為有源區(qū)的光電器件具有優(yōu)于傳統(tǒng)器件的性能。就半導(dǎo)體光放大器(SOA)而言，量子點(diǎn)SOA具有材料增益高、溫度性能好、啁啾低、響應(yīng)速度快等優(yōu)越性能，從而在下一代全光網(wǎng)絡(luò)中具有廣泛的應(yīng)用前景。
　　 然而由于目前工藝水平的限制，量子點(diǎn)的生長密度不夠高、量子點(diǎn)尺寸及位置分布隨機(jī)性大等因素導(dǎo)致量子點(diǎn)的性能優(yōu)勢并不能完全發(fā)揮，量子點(diǎn)SOA的一些指標(biāo)還不如量子阱SOA 高。同時(shí)，由

2、于量子點(diǎn)中的壓應(yīng)變與量子限制效應(yīng)都有增強(qiáng)TE模式材料增益、壓抑TM模式材料增益的作用，量子點(diǎn)SOA中偏振相關(guān)性問題也很嚴(yán)重。本論文針對(duì)目前量子點(diǎn)SOA 發(fā)展中存在的問題，從理論和實(shí)驗(yàn)兩方面對(duì)量子點(diǎn)SOA 進(jìn)行研究。
　　 理論方面，應(yīng)用張應(yīng)變量子阱耦合量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)改善量子點(diǎn)SOA的偏振相關(guān)特性。分析得到了載流子輸運(yùn)方程及光場傳播方程，并通過Matlab 對(duì)其增益特性及偏振相關(guān)性進(jìn)行了模擬分析。
　　 實(shí)驗(yàn)方面，采用金屬有