一維納米線生長的控制——氧化鋁模板的制備、表征及應(yīng)用.pdf

1、本文主要采用陽極氧化的方法進行氧化鋁模板的制備,并較為系統(tǒng)地研究了氧化液的濃度、溫度和氧化電壓對多孔氧化鋁膜孔徑的影響.此外,在所制備出氧化鋁模板的基礎(chǔ)上,采用交流電化學沉積的方法在模板中進行了鐵納米線的組裝,并借助場發(fā)射掃描電鏡和透射電鏡對其形貌和結(jié)構(gòu)進行了分析,獲得的主要結(jié)果如下:(1)采用陽極氧化的方法,在硫酸和草酸溶液中可制出孔徑分布在12.8~52nm的多孔有序氧化鋁模板.(2)多孔氧化鋁膜具有由外表面的多孔層和內(nèi)層致密的阻擋

2、層所構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu),且鋁箔電化學拋光后的表面顯微狀態(tài)對氧化鋁模板有序孔洞的形成有影響.(3)氧化鋁模板的孔徑可通過改變陽極氧化工藝參數(shù)進行調(diào)節(jié),隨著氧化液濃度、氧化電壓和氧化溫度的升高,氧化鋁膜的孔徑增大;反之,則減小.但是,氧化溫度不能過高,否則,無法獲得多孔有序的氧化鋁模板.(4)采用交流電化學沉積的方法,在多孔AAO模板中可制備出長4μm,直徑約52nm的高度有序鐵的納米線陣列.TEM分析表明,鐵納米線呈多晶態(tài),這是由于在交流電沉