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文檔簡介
1、SOI（Silicon on Insulator）技術是一種非常有潛力的新型硅技術，被譽為“21世紀的硅技術”。它有著諸多的優(yōu)點，如：提供良好的器件隔離、減少器件間的寄生效應，提高電路的工作速度，有很強的抗輻射能力，集成度高等。因此高壓 SOI SPIC（Smart Power IC）目前已經成為功率集成電路發(fā)展的新領域。
本論文研究的基于 SOI上的高壓開關集成電路，是國防科技重點實驗室的基金項目?；赟OI材料的特點，本論
2、文主要研究在SOI材料上集成高壓功率開關電路，以及適合此集成電路的數(shù)?；旌想娐吩O計方法。同時，還研究了與這種電路設計相匹配的工藝流程，為工程上更好的實現(xiàn)這一混合電路提供了良好的技術平臺。
作者的主要工作是設計實現(xiàn)了SOI基上帶有D/A驅動的高壓LDMOS功率開關電路。這種功率開關集成電路，利用了D/A變換的靈活性，運用數(shù)字電路與高壓模擬電路混合設計方法，實現(xiàn)了采用數(shù)字控制的耐壓為300V的LDMOS功率開關集成電路。該集成電路
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