氧化銦錫薄膜制備工藝及薄膜性能研究.pdf

1、氧化銦錫（ITO）薄膜因?yàn)榫哂辛己玫膶?dǎo)電性，對可見光透明，對紅外光反射性強(qiáng)等特性，被廣泛用于平面液晶顯示、建筑用節(jié)能視窗、太陽能電池、轎車風(fēng)擋、電磁輻射防護(hù)等方面。本文以錫的無機(jī)鹽和金屬銦為原料，分別通過有機(jī)法和無機(jī)法制備出ITO前驅(qū)物漿料，采用浸漬提拉法在玻璃基片上涂覆薄膜并經(jīng)過熱處理得到ITO薄膜樣品。 在ITO前驅(qū)物漿料的制備過程中，通過對有機(jī)體系、水解催化劑的選擇及漿料中In3+濃度的調(diào)整來提高ITO薄膜的光電性能，使用

2、硅烷偶聯(lián)劑增強(qiáng)無機(jī)法制備的ITO薄膜在玻璃基片上的附著性能并探討了機(jī)理；在涂覆工藝方面，討論了涂覆層數(shù)、浸漬提拉速度等因素對薄膜電學(xué)性能的影響；分析了熱處理時(shí)間、氣氛與薄膜電學(xué)性能的關(guān)系。 本實(shí)驗(yàn)采用四探針法測量薄膜的方電阻；透射電鏡表征漿料的分散性能；掃描電鏡表征薄膜的微觀形貌；納米劃痕法評價(jià)薄膜與基材的附著性能；分光光度計(jì)儀器測量樣品的透過率；X射線衍射儀表征薄膜的晶體結(jié)構(gòu)。 結(jié)果表明，在乙酰丙酮（2，4-戊二酮）有

3、機(jī)體系中，用乙酸作催化劑，在無需真空干燥的條件下可制得均一穩(wěn)定的ITO前驅(qū)物漿料。隨著漿料中In3+濃度從0．1mol/L增大到0．3mol/L，所得到的薄膜電阻逐漸降低。偶聯(lián)劑的作用使氧化銦錫薄膜并通過O-Si-O的連接附著在玻璃基片上，即薄膜層與層之間以及薄膜與基片之間的界面由原來簡單的物理吸附變成了強(qiáng)烈的化學(xué)吸附，因此附著性能得到改善。硅烷偶聯(lián)劑的引入，不影響ITO薄膜的晶型結(jié)構(gòu)，薄膜晶體沿（222）平面方向擇優(yōu)生長；薄膜在390