基于LTCC技術(shù)的微波傳輸線建模與設(shè)計.pdf

1、高密度封裝一個關(guān)鍵的技術(shù)是高密度多層互連基板的制造。低溫共燒陶瓷（lowtemperatureco—firedceramic，LTCC）多層基板技術(shù)以其先天的優(yōu)勢從眾多的多芯片組件技術(shù)中脫穎而出。它具有封裝密度高、可埋置無源器件、射頻特性好、可靠性高、共燒溫度低、一次燒結(jié)成品率高等一系列的優(yōu)點，是一種減小系統(tǒng)體積和重量、提高系統(tǒng)性能的有效途徑。本文主要對基于LICC技術(shù)的微波傳輸線進(jìn)行了研究。在對傳輸線基本的π模型和T模型理論分析的基礎(chǔ)

2、上，對兩種模型進(jìn)行了改進(jìn)。采用Agilent公司的ADS軟件，分別對基本模型、改進(jìn)模型以及無耗傳輸線的散射特性進(jìn)行了仿真，并對仿真曲線進(jìn)行了比較。從仿真結(jié)果可以看出，改進(jìn)π模型比基本π模型在曲線的形狀上更為接近無耗傳輸線，但是曲線的吻合程度提高不大；而改進(jìn)T模型獲得了較為理想的結(jié)果，該模型在電長度為0～π的范圍內(nèi)，可得到與無耗傳輸線相一致的特性曲線；然后，對不同特性阻抗的無耗傳輸線的散射特性進(jìn)行了仿真分析，并與改進(jìn)的T模型的仿真結(jié)果進(jìn)行