2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、安徽大學(xué)碩士學(xué)位論文復(fù)合多晶硅柵LDMOS器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與電學(xué)特性分析姓名：劉琦申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師：柯導(dǎo)明陳軍寧20070401復(fù)合多品硅柵LDMOS器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與電學(xué)特性分析函數(shù)的p多晶硅構(gòu)成，因此在復(fù)合柵的界面處會(huì)產(chǎn)生一個(gè)階梯電勢(shì)和一個(gè)峰值電場(chǎng)，在這個(gè)峰值電場(chǎng)的作用下DMOLDMOS的載流子在溝道區(qū)的平均速度增大，從而提高了器件的跨導(dǎo)與截止頻率；另外這個(gè)階梯電勢(shì)使的器件的表面電場(chǎng)分布更加均勻，可以在導(dǎo)通電阻

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