二氧化硅和光阻等離子刻蝕影響因素正交試驗(yàn)研究.pdf

1、隨著集成電路集成度增加，晶片尺寸不斷增大，等離子蝕刻的刻蝕速率控制和不均勻度控制變得越來越重要。等離子刻蝕又是復(fù)雜離子團(tuán)在電場磁場中的復(fù)雜化學(xué)物理作用，對于整個(gè)晶片的蝕刻速率和均勻度難以用簡單理論模型計(jì)算分析。
　　 本文針對這一需要和困難，采用正交法科學(xué)地安排試驗(yàn)，綜合多組試驗(yàn)，研究了等離子刻蝕中反應(yīng)氣體流量，反應(yīng)氣體壓力，旋轉(zhuǎn)磁場強(qiáng)度，刻蝕射頻能量等因素對SiO2和光阻的刻蝕速率及不均勻度的影響。并對結(jié)果進(jìn)行分析計(jì)算，得到了

2、有關(guān)參數(shù)對SiO2和光阻的刻蝕速率、不均勻度和刻蝕選擇比的影響程度，為新工藝的開發(fā)和生產(chǎn)的維護(hù)提供參考依據(jù)。
　　 試驗(yàn)結(jié)果表明：
　　 刻蝕氣體是對刻蝕速率影響最大的因素，但RF能量增加對刻蝕氣體作用有強(qiáng)化影響。當(dāng)射頻能量小于1000W時(shí)，且CF4/Ar<20％，反應(yīng)以物理刻蝕為主，超過20％后化學(xué)刻蝕明顯增強(qiáng)。當(dāng)射頻能量超過1000W，射頻能量以物理轟擊為主成為主要影響因素。磁場對刻蝕不均勻度有強(qiáng)烈影響，其他影響因素