非磁性金屬摻雜AlN的第一性原理研究.pdf

1、華南師范大學碩士學位論文非磁性金屬摻雜AlN的第一性原理研究姓名：林竹申請學位級別：碩士專業(yè)：光學工程指導教師：郭志友20090501非磁件摻雜AIN的第一性原理研究區(qū)的G點處，計算的帶隙值5074eV，比實驗值偏小，這主要是GGA計算方法的原因，A1N的離子鍵性質比較明顯。同時，也計算了A1N的能量損失譜、介電函數(shù)、吸收系數(shù)等光學參數(shù)，利用半導體帶間躍遷理論和A1N電子結構信息，對介電譜圖和能量損失譜等的峰值進行了辨別和解釋，定性分析

2、了光學性質的成因。2、探討了Mg、Cu、Zn、Pd非磁性雜質摻雜A1N的電子結構、磁性和光學性質，并重點分析了Cu摻雜A1N的情況，發(fā)現(xiàn)M摻雜的A1N體系(M=Mg、Cu、Zn、Pd)都存在自旋極化念，呈現(xiàn)半會屬鐵磁性狀態(tài)，但磁矩來源不同，Mg、Zn摻雜的磁矩較小，主要來源于N原子的P軌道電子，而Cu、Pd摻雜體系的磁矩較大，主要來源于pd聾)l道雜化。就光學性質而言，沒有非常突出的變化，但是摻雜后帶隙變窄，長波吸收加強，能量損失明顯減