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文檔簡(jiǎn)介
1、多晶硅納米膜作為一種新興材料，在重?fù)诫s條件下較普通多晶硅薄膜具有更優(yōu)越的壓阻特性，其在壓力傳感器中的應(yīng)用卻沒(méi)有相關(guān)方面的研究報(bào)道。因此，本文在分析多晶硅納米膜的電學(xué)及壓阻特性的基礎(chǔ)上，將多晶硅納米膜應(yīng)用于壓力傳感器的力敏元件上，并制作出多晶硅納米膜壓力傳感器。
在傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面，利用有限元分析方法，借助ANSYS軟件，對(duì)傳感器彈性膜片的應(yīng)變分布進(jìn)行分析，由分析結(jié)果確定多晶硅壓敏電阻在彈性膜片上的布局；并根據(jù)重?fù)诫s條件下多晶
2、硅納米膜電阻率較高的情況設(shè)計(jì)出了正方形的“胖”型壓敏電阻。在傳感器制作過(guò)程中，利用低壓化學(xué)氣相淀積法在表面有二氧化硅的硅襯底上生長(zhǎng)多晶硅納米膜，光刻形成多晶硅壓敏電阻后通過(guò)金屬引線(xiàn)連接構(gòu)成惠斯通電橋；硅片在各向異性腐蝕液中腐蝕形成硅杯結(jié)構(gòu)，并與玻璃襯墊靜電鍵合，最終制成多晶硅納米膜壓力傳感器。利用實(shí)驗(yàn)室自行搭建的測(cè)試系統(tǒng)對(duì)多晶硅納米膜壓力傳感器的靜態(tài)性能進(jìn)行初步測(cè)試，在5V恒壓源激勵(lì)下，0~0.6MPa量程范圍內(nèi)，傳感器芯片輸出靈敏度可
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