2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、錫和錫基合金具有高的質(zhì)量比容量和體積比容量,是下一代鋰離子電池負(fù)極材料的研究熱點(diǎn)之一。其主要缺陷在于嵌鋰過(guò)程中體積膨脹導(dǎo)致活性材料粉化脫落,循環(huán)性能不好。目前解決的主要方法有:(1)制成納米材料;(2)與活性或非活性元素合金化;(3)用活性或非活性材料包覆。除此之外,對(duì)集流體的表面形貌、多孔性和電極/電解質(zhì)界面性質(zhì)的深入認(rèn)識(shí)也是提升合金電極電化學(xué)性能的重要內(nèi)容。本論文發(fā)明了非氰化物電鍍制備Cu6Sn5合金的方法,解決了一直以來(lái)難以用電鍍

2、法獲得高錫含量的錫銅合金的難題。重點(diǎn)研究了不同集流體對(duì)錫基合金材料電化學(xué)循環(huán)性能的影響,和錫基合金電極與商業(yè)電解液的相容性,特別是運(yùn)用電化學(xué)阻抗譜研究合金電極的相變過(guò)程和表面SEI膜的性質(zhì)。主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下: (1)光滑銅片、泡沫銅和粗糙銅箔上錫銅合金的電化學(xué)性能。XRD結(jié)果指出光滑銅片、泡沫銅和粗糙銅箔上錫銅合金均由Cu6Sn5合金和少量純Sn組成。充放電測(cè)試結(jié)果表明三種集流體上電鍍獲得的錫銅合金在放電過(guò)程中均在0.4V

3、和0.1V附近給出Cu6Sn5的特征放電平臺(tái),但隨著循環(huán)的進(jìn)行逐漸消失。充放電循環(huán)結(jié)果顯示粗糙銅箔上Cu6Sn5合金的容量和循環(huán)性能均優(yōu)于其余兩種。對(duì)經(jīng)過(guò)不同循環(huán)次數(shù)的三種集流體上Cu6Sn5合金表面形貌進(jìn)行分析,觀察到光滑銅片上錫銅合金經(jīng)過(guò)充放電循環(huán)39周后發(fā)生嚴(yán)重龜裂和脫落;泡沫銅上Cu6Sn5合金經(jīng)過(guò)50周循環(huán)后也部分龜裂,但未發(fā)生明顯脫落;粗糙銅箔上Cu6Sn5合金經(jīng)過(guò)50周循環(huán)后,表面反而變得平滑,也無(wú)活性材料明顯脫落。不同極

4、化電位下的阻抗測(cè)試結(jié)果顯示,Cu6Sn5合金在1.2V附近開(kāi)始出現(xiàn)代表SEI膜的高頻圓弧,在0.4V附近分別出現(xiàn)代表電荷傳遞和相變阻抗的中頻和低頻圓弧,但在0.3V附近相變阻抗圓弧基本消失,在0.1V附近又重新出現(xiàn)。Cu6Sn5合金放電不同容量后的阻抗譜研究指出,當(dāng)放電5 mAh/g后Nyquist圖中開(kāi)始出現(xiàn)代表SEI膜的高頻圓弧,當(dāng)放電50 mAh/g后分別出現(xiàn)代表電荷傳遞和相變阻抗的中頻和低頻圓弧,當(dāng)放電247 mAh/g后,低頻

5、圓弧轉(zhuǎn)變?yōu)樾本€,對(duì)應(yīng)在0.4 V附近的放電結(jié)束。對(duì)經(jīng)過(guò)不同循環(huán)次數(shù)的Cu6Sns合金電極的阻抗譜研究表明,電荷傳遞阻抗隨著循環(huán)次數(shù)的增加先減小,后增大,說(shuō)明了電極經(jīng)歷了一個(gè)從活化到逐漸失效的過(guò)程。 (2)光滑銅片和粗糙銅箔上錫鈷合金的制備及性質(zhì)。XRD結(jié)果指出光滑銅片上電鍍制得的錫鈷合金為無(wú)定型態(tài),而粗糙銅箔上電鍍獲得的錫鈷合金為CoSn和Co3Sn2的復(fù)合物。充放電測(cè)試結(jié)果表明,光滑銅片和粗糙銅箔上電鍍制得的錫鉆合金在首次放電

6、過(guò)程中均在0.22 V附近給出一個(gè)較長(zhǎng)的放電電位平臺(tái),并在隨后的循環(huán)中逐漸正移至0.4 V附近。充放電循環(huán)結(jié)果顯示,粗糙銅箔上錫鈷合金電極的循環(huán)性能明顯優(yōu)于光滑銅片上錫鈷合金電極,經(jīng)70周循環(huán)后容量無(wú)明顯減小。表面形貌結(jié)果分析顯示,光滑銅片上錫鈷合金充放電循環(huán)20周后出現(xiàn)嚴(yán)重龜裂和脫落;但粗糙銅箔上錫鈷合金經(jīng)過(guò)70周循環(huán)后,表面變得平滑,活性材料未發(fā)生明顯脫落。首次嵌鋰過(guò)程的阻抗譜結(jié)果顯示,錫鈷合金電極在1.1V附近開(kāi)始出現(xiàn)代表SEI膜

7、阻抗的圓弧,在0.4 V附近開(kāi)始出現(xiàn)代表電荷傳遞阻抗和相變阻抗的圓弧,當(dāng)電極電位進(jìn)一步降低至0.125V時(shí),Nyquist圖中代表電荷傳遞阻抗的中頻圓弧消失,但低頻圓弧仍然存在。對(duì)不同循環(huán)次數(shù)后的錫鈷合金電極在0.05V處的阻抗譜分析表明,其電荷傳遞阻抗隨著循環(huán)次數(shù)的增加不斷增大,指示鋰離子嵌入逐漸變得困難。 (3)多孔銅集流體的制備及其表面電鍍的錫銅和錫鈷合金的電化學(xué)性能。運(yùn)用氫氣模版法電沉積制備得到有序多孔銅集流體,改變沉積

8、條件調(diào)控孔的尺寸和壁厚。通過(guò)熱處理增強(qiáng)多孔銅與基底間的結(jié)合力。分別以未熱處理和熱處理后的多孔銅為基底電鍍制得錫銅合金。充放電結(jié)果顯示熱處理后的多孔銅上錫銅合金表現(xiàn)出較好的充放電性能,其首次放電容量735 mAh/g,首次充電容量571 mAh/g,經(jīng)過(guò)50周循環(huán)后容量保持在342 mAh/g。不同溫度條件下的EIS結(jié)果給出,開(kāi)路電位時(shí)多孔銅上錫銅合金的Nyquist圖均由一段曲率半徑很大的圓弧組成。首次嵌鋰過(guò)程中,當(dāng)電極電位極化到1.2

9、 V附近出現(xiàn)代表SEI膜阻抗的高頻圓??;到0.4 V附近,Nyquist圖均轉(zhuǎn)變?yōu)?段圓弧,即高頻區(qū)域代表SEI膜阻抗的圓弧、中頻區(qū)域代表電荷傳遞阻抗的圓弧和低頻區(qū)域代表相變阻抗的圓弧。相變阻抗模擬結(jié)果顯示,錫銅合金電極的相變電阻Rp在主要的相變電位區(qū)較小,其它電位下較大,但不同溫度下Rp極小值出現(xiàn)的電位不同,隨著溫度的升高,其極小值電位正移。對(duì)于熱處理后的多孔銅為基底電鍍制備的錫鈷合金,測(cè)得首次放電容量為726 mAh/g,首次充電容

10、量為563 mAh/g,首次庫(kù)倫效率為77.6%,從第2周循環(huán)開(kāi)始到50周循環(huán)容量保持率為70%。多孔銅上錫鈷合金的阻抗結(jié)果顯示首次嵌鋰過(guò)程中,當(dāng)電極電位降低到0.4V附近,Nyquist圖由高頻區(qū)域代表SEI膜阻抗的圓弧、中頻區(qū)域代表電荷傳遞阻抗的圓弧和低頻區(qū)域代表相變阻抗的圓弧組成。與錫銅合金電極相似,錫鈷合金的相變電阻同樣在主要的相變電位區(qū)間內(nèi)最小。當(dāng)錫鈷合金遭到突然的短路后,電極阻抗譜中出現(xiàn)了感抗弧,表征電極活性材料的不均勻性。

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