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文檔簡介
1、(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷作為高密度動態(tài)存儲器的備選材料已經(jīng)引起廣泛關注。實驗發(fā)現(xiàn)，當TiO2摻雜摩爾比≥40mol.％時具有介電負溫度系數(shù)特性，如何有效補償負溫度系數(shù)特性成為一項重要的研究課題。溫度補償實現(xiàn)的常規(guī)手段是在負溫度系數(shù)材料中摻雜正溫度系數(shù)材料使材料體系的溫度系數(shù)接近于零，以獲得穩(wěn)定的工作溫度特性。但摻雜所帶來的組分配比控制等必會增加工藝上的難度和成本。 本研究中，首先采用大功率CO2激光快速燒結方法和傳
2、統(tǒng)爐燒方法，成功制備出高摻Ti的(Ta2O5)1-x(TiO2)x基陶瓷(x=0.3，0.4，0.5)。研究發(fā)現(xiàn)：TiO2摻雜摩爾比為0.4時，傳統(tǒng)爐燒方法制備的陶瓷呈現(xiàn)介電負溫度系數(shù)特性，分別為-505ppm/℃；而激光燒結的樣品呈現(xiàn)介電正溫度系數(shù)特性，分別為+888ppm/℃；將樣品在氧氣下退火，可使(Ta2O5)0.6(TiO2)0.4陶瓷介電溫度系數(shù)接近于零(+120ppm/℃)，達到良好的介電溫度系數(shù)補償效果。 本文系
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