硫族化合物隨機(jī)存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì).pdf

1、硫族化合物隨機(jī)存儲(chǔ)器CRAM由于具有高讀寫速度、多擦寫次數(shù)、非易失性、高密度、小尺寸、低功耗和低成本等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是最有可能取代目前市場(chǎng)主流產(chǎn)品閃存等存儲(chǔ)器的一種新型存儲(chǔ)器，并將在計(jì)算機(jī)、移動(dòng)通訊等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
　　 本課題的目的是設(shè)計(jì)一種能實(shí)現(xiàn)CRAM的讀、擦、寫三種操作的電流脈沖驅(qū)動(dòng)電路，用它控制4Mb的CRAM的存儲(chǔ)元GST從晶態(tài)到非晶態(tài)的相互轉(zhuǎn)化，并能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)存儲(chǔ)陣列的尋址，以及模擬CRAM的讀擦寫操作。本論

2、文首先從CRAM的基本工作原理入手，根據(jù)CRAM的功能和性能要求，建立CRAM系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路的工作模塊，包括脈寬調(diào)制單元PWM、讀擦寫電流源模塊、相態(tài)識(shí)別器、二級(jí)譯碼器等，然后通過(guò)具體的電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)各工作模塊，并從理論和仿真上分析各電路模塊的性能，最后對(duì)整個(gè)CRAM系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行整體仿真和分析，驗(yàn)證系統(tǒng)的電路性能。通過(guò)Multisim軟件仿真結(jié)果顯示，讀擦寫脈沖幅度分別為1.0V、1.45V和2.45V，對(duì)應(yīng)的脈寬分別為40ns、50