半導(dǎo)體的歐姆接觸

1、半導(dǎo)體的歐姆接觸(2012033015:06:47)轉(zhuǎn)載▼標(biāo)簽：雜談分類：補(bǔ)充大腦1、歐姆接觸歐姆接觸是指這樣的接觸：一是它不產(chǎn)生明顯的附加阻抗；二是不會(huì)使半導(dǎo)體內(nèi)部的平衡載流子濃度發(fā)生顯著的改變。從理論上說，影響金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸的主要因素有兩個(gè)：金屬、半導(dǎo)體的功函數(shù)和半導(dǎo)體的表面態(tài)密度。對于給定的半導(dǎo)體，從功函數(shù)對金屬－半導(dǎo)體之間接觸的影響來看，要形成歐姆接觸，對于n型半導(dǎo)體，應(yīng)該選擇功函數(shù)小的金屬，即滿足Wm《Ws，使金屬與

2、半導(dǎo)體之間形成n型反阻擋層。而對于p型半導(dǎo)體，應(yīng)該選擇功函數(shù)大的金屬與半導(dǎo)體形成接觸，即滿足Wm》Ws，使金屬與半導(dǎo)體之間形成p型反阻擋層。但是由于表面態(tài)的影響，功函數(shù)對歐姆接觸形成的影響減弱，對于n型半導(dǎo)體而言，即使Wm《Ws，金屬與半導(dǎo)體之間還是不能形成性能良好的歐姆接觸。目前，在生產(chǎn)實(shí)際中，主要是利用隧道效應(yīng)原理在半導(dǎo)體上制造歐姆接觸。從功函數(shù)角度來考慮，金屬與半導(dǎo)體要形成歐姆接觸時(shí)，對于n型半導(dǎo)體，金屬功函數(shù)要小于半導(dǎo)體的功函數(shù)

3、，滿足此條件的金屬材料有Ti、In。對于p型半導(dǎo)體，金屬功函數(shù)要大于半導(dǎo)體的功函數(shù)，滿足此條件的金屬材料有Cu、Ag、Pt、Ni。2、一些常用物質(zhì)的的功函數(shù)物質(zhì)AlTiPtInNiCuAgAu功函數(shù)4.33.955.353.74.54.44.45.203、舉例n型的GaN——先用磁控濺射在表面濺射上TiAlTi三層金屬，然后在鹵燈硅片組成的快速退火裝置上進(jìn)行快速退火：先600攝氏度—后900攝氏度——形成歐姆接觸；p型的CdZnTe——

4、磁控濺射儀上用Cu－3％Ag合金靶材在材料表面濺射一層CuAg合金。歐姆接觸[編輯]歐姆接觸歐姆接觸是半導(dǎo)體設(shè)備上具有線性并且對稱的電流電壓特性曲線（IVcurve）的區(qū)域。如果電流電壓特性曲線不是線性的，這種接觸便叫做肖特基接觸。典型的歐姆接觸是濺鍍或者蒸鍍的金屬片，這些金屬片通過光刻制程布局。低電阻，穩(wěn)定接觸的歐姆接觸是影響集成電路性能和穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。它們的制備和描繪是電路制造的主要工作。目錄目錄[隱藏]?1理論?2實(shí)驗(yàn)特性?3

5、歐姆接觸的制備?4技術(shù)角度上重要的接觸類型?5重要性?6參考資料在MKS單位制是凈電荷密度而是介電常數(shù)。幾何結(jié)構(gòu)是一維的因?yàn)榻缑姹患僭O(shè)為平面的。對方程作一次積分，我們得到積分常數(shù)根據(jù)耗盡層定義為界面完全被屏蔽的長度。就有其中被用于調(diào)整剩下的積分常數(shù)。這一方程描述了插圖右手邊藍(lán)色的斷點(diǎn)曲線。耗盡寬度可以通過設(shè)置來決定，結(jié)果為對于0xW，是完全耗盡耗盡的半導(dǎo)體中離子化的施主和受主凈電荷密度以及是電荷。和對于n型半導(dǎo)體取正號而對于p型半導(dǎo)體取

6、負(fù)號，n型的正曲率和p型的負(fù)曲率如圖所示。從這個(gè)大概的推導(dǎo)中可注意到勢壘高度（與電子親和性和內(nèi)建場相關(guān)）和勢壘厚度（和內(nèi)建場、半導(dǎo)體絕緣常數(shù)和摻雜密度相關(guān)）只能通過改變金屬或者改變摻雜密度來改變。總之工程師會(huì)選擇導(dǎo)電、非反應(yīng)、熱力學(xué)穩(wěn)定、電學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定且低張力的接觸金屬然后提高接觸金屬下方區(qū)域摻雜密度來減小勢壘高度差。高摻雜區(qū)依據(jù)摻雜種類被稱為或者。因?yàn)樵谒泶┲型干湎禂?shù)與粒子質(zhì)量指數(shù)相關(guān)，低有效質(zhì)量的半導(dǎo)體更容易被解除。另外，小禁帶半導(dǎo)體