電力電子技術(shù)題庫

1、電力電子技術(shù)試題電力電子技術(shù)試題第1章電力電子器件電力電子器件1.電力電子器件一般工作在__開關(guān)__狀態(tài)。2.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為__通態(tài)損耗__，而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為__開關(guān)損耗__。3.電力電子器件組成的系統(tǒng)，一般由__控制電路__、_驅(qū)動電路_、_主電路_三部分組成，由于電路中存在電壓和電流的過沖，往往需添加_保護(hù)電路__。4.按內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況，電力電子器件可分為_單極

2、型器件_、_雙極型器件_、_復(fù)合型器件_三類。5.電力二極管的工作特性可概括為_承受正向電壓導(dǎo)通，承受反相電壓截止_。6.電力二極管的主要類型有_普通二極管_、_快恢復(fù)二極管_、_肖特基二極管_。7.肖特基二極管的開關(guān)損耗_小于_快恢復(fù)二極管的開關(guān)損耗。8.晶閘管的基本工作特性可概括為__正向電壓門極有觸發(fā)則導(dǎo)通、反向電壓則截止__。9.對同一晶閘管，維持電流IH與擎住電流IL在數(shù)值大小上有IL__大于__IH。10.晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電

3、壓UDSM與轉(zhuǎn)折電壓Ubo數(shù)值大小上應(yīng)為，UDSM_大于__Ubo。11.逆導(dǎo)晶閘管是將_二極管_與晶閘管_反并聯(lián)_（如何連接）在同一管芯上的功率集成器件。12.GTO的__多元集成__結(jié)構(gòu)是為了便于實(shí)現(xiàn)門極控制關(guān)斷而設(shè)計(jì)的。13.MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對應(yīng)關(guān)系，其中前者的截止區(qū)對應(yīng)后者的_截止區(qū)_、前者的飽和區(qū)對應(yīng)后者的__放大區(qū)__、前者的非飽和區(qū)對應(yīng)后者的_飽和區(qū)__。

4、14.電力MOSFET的通態(tài)電阻具有__正__溫度系數(shù)。15.IGBT的開啟電壓UGE（th）隨溫度升高而_略有下降__，開關(guān)速度__小于__電力MOSFET。16.按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的性質(zhì)，可將電力電子器件分為_電壓驅(qū)動型_和_電流驅(qū)動型_兩類。17.IGBT的通態(tài)壓降在12或13額定電流以下區(qū)段具有__負(fù)___溫度系數(shù)，在12或13額定電流以上區(qū)段具有__正___溫度系數(shù)。18.在如下器件：電力二極管（P

5、owerDiode）、晶閘管（SCR）、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）、電力晶體管（GTR）、電力場效應(yīng)管（電力MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）中，屬于不可控器件的是_電力二極管__，屬于半控型器件的是__晶閘管_，屬于全控型器件的是_GTO、GTR、電力MOSFET、IGBT_；屬于單極型電力電子器件的有_電力MOSFET_，屬于雙極型器件的有_電力二極管、晶閘管、GTO、GTR_，屬于復(fù)合型電力電子器件得有__IGBT_；

6、在可控的器件中，容量最大的是_晶閘管_，工作頻率最高的是_電力MOSFET，屬于電壓驅(qū)動的是電力MOSFET、IGBT_，屬于電流驅(qū)動的是_晶閘管、GTO、GTR_。第2章整流電路整流電路1.電阻負(fù)載的特點(diǎn)是_電壓和電流成正比且波形相同_，在單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，晶閘管控制角α的最大移相范圍是_0180O_。2.阻感負(fù)載的特點(diǎn)是_流過電感的電流不能突變，在單相半波可控整流帶阻感負(fù)載并聯(lián)續(xù)流二極管的電路中，晶閘管控制角α的最大

7、移相范圍是__0180O_，其承受的最大正反向電壓均為___，續(xù)流二極管承受的最大反向電壓為___（設(shè)U2為相電壓有效值）。22U22U3.單相橋式全控整流電路中，帶純電阻負(fù)載時(shí)，α角移相范圍為__0180O_，單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為__和_222U；帶阻感負(fù)載時(shí)，α角移相范圍為_090O_，單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為___和___；帶反電動勢負(fù)載時(shí)，欲使22U22U22U電阻上的電流不出現(xiàn)斷

8、續(xù)現(xiàn)象，可在主電路中直流輸出側(cè)串聯(lián)一個(gè)_平波電抗器_。4.單相全控橋反電動勢負(fù)載電路中，當(dāng)控制角α大于不導(dǎo)電角?時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角?=_πα?_當(dāng)控制角?小于不導(dǎo)電角?時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角?=_π2?_。5.電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于___，晶閘管控制角α的最大移相范圍是_0150o_，使負(fù)載電流22U連續(xù)的條件為____(U2為相電壓有效值)。o30??6.三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的

9、觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差_120o_，當(dāng)它帶阻感負(fù)載時(shí)，?的移相范圍為__090o_。7.三相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載工作中，共陰極組中處于通態(tài)的晶閘管對應(yīng)的是_最高_(dá)_的相電壓，而共陽極組中處于導(dǎo)通的晶閘管對應(yīng)的是_最低_的相電壓；這種電路?角的移相范圍是_0120o_，ud波形連續(xù)的條件是__。o60??8.對于三相半波可控整流電路，換相重迭角的影響，將使用輸出電壓平均值__下降_。9.電容濾波單相不可控整流帶電阻負(fù)載電路中，空

10、載時(shí)，輸出電壓為___，隨負(fù)載加重Ud逐漸趨近于_0.9U2_，通常設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)取RC≥_1.522U2.5_T，此時(shí)輸出電壓為Ud≈__1.2_U2(U2為相電壓有效值，T為交流電源的周期)。1、請?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡稱：電力晶體管GTR；可關(guān)斷晶閘管GTO；功率場效應(yīng)晶體管MOSFET；絕緣柵雙極型晶體管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動功率、觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高和觸發(fā)

11、脈沖要與晶閘管陽極電壓同步。3、多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮均流的問題，解決的方法是串專用均流電抗器。。4、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為正弦波波，輸出電流波形為方波波。5、型號為KS1008的元件表示雙向晶閘管晶閘管、它的額定電壓為800V伏、額定有效電流為100A安。6、180導(dǎo)電型三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在_同一橋臂上的上、下二個(gè)元件之間進(jìn)行；而120導(dǎo)電型三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在_不同橋臂上的元件之間進(jìn)行的。7、當(dāng)

12、溫度降低時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會增加、、正反向漏電流會下降、；當(dāng)溫度升高時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會下降、、正反向漏電流會增加。8、在有環(huán)流逆變系統(tǒng)中，環(huán)流指的是只流經(jīng)兩組變流器之間而不流經(jīng)負(fù)載的電流。環(huán)流可在電路中加電抗器來限制。為了減小環(huán)流一般采用控制角α=β的工作方式。9、常用的過電流保護(hù)措施有快速熔斷器、串進(jìn)線電抗器、接入直流快速開關(guān)、控制快速移相使輸出電壓下降。（寫出四種即可）10、逆變器按直流側(cè)提供的電源的性質(zhì)來分，可分為電壓型型逆

13、變器和電流型型逆變器，電壓型逆變器直流側(cè)是電壓源，通常由可控整流輸出在最靠近逆變橋側(cè)用電容器進(jìn)行濾波，電壓型三相橋式逆變電路的換流是在橋路的本橋元件之間元件之間換流，每只晶閘管導(dǎo)電的角度是180度；而電流型逆變器直流側(cè)是電流源，通常由可控整流輸出在最靠近逆變橋側(cè)是用電感濾波，電流型三相橋式逆變電路換流是在異橋元件之間元件之間換流，每只晶閘管導(dǎo)電的角度是120度。11、直流斬波電路按照輸入電壓與輸出電壓的高低變化來分類有降壓斬波電路；升壓

14、斬波電路；升降壓斬波電路。12、由晶閘管構(gòu)成的逆變器換流方式有負(fù)載換流和強(qiáng)迫換流。13、按逆變后能量饋送去向不同來分類，電力電子元件構(gòu)成的逆變器可分為有源、逆變器與無源逆變器兩大類。14、有一晶閘管的型號為KK200－9，請說明KK快速晶閘管；200表示表示200A，9表示900V。15、單結(jié)晶體管產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖是尖脈沖脈沖；主要用于驅(qū)動小功率的晶閘管；鋸齒波同步觸發(fā)電路產(chǎn)生的脈沖為強(qiáng)觸發(fā)脈沖脈沖；可以觸發(fā)大功率的晶閘管。17、為了減小

15、變流電路的開、關(guān)損耗，通常讓元件工作在軟開關(guān)狀態(tài)，軟開關(guān)電路種類很多，但歸納起來可分為零電流開關(guān)與零電壓開關(guān)兩大類。18、直流斬波電路在改變負(fù)載的直流電壓時(shí)，常用的控制方式有等頻調(diào)寬控制；等寬調(diào)頻控制；脈寬與頻率同時(shí)控制三種。19、由波形系數(shù)可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流為ITn等于1.57倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培，則它允許的有效電流為157安培。通常在選擇晶閘管時(shí)還要留出1.5—2倍的裕量。20、通常變流電路

16、實(shí)現(xiàn)換流的方式有器件換流，電網(wǎng)換流，負(fù)載換流，強(qiáng)迫換流四種。21、在單相交流調(diào)壓電路中，負(fù)載為電阻性時(shí)移相范圍是，負(fù)載是阻感性時(shí)移相范圍是。??0???22、在電力晶閘管電路中，常用的過電壓保護(hù)有避雷器；阻容吸收；硒堆；壓敏電阻；整流式阻容吸收等幾種。23、。晶閘管的維持電流IH是指在溫40度以下溫度條件下，門極斷開時(shí)，晶閘管從較大通態(tài)電流下降到剛好能保持導(dǎo)通所必須的最小陽極電流。25、普通晶閘管的圖形符號是，三個(gè)電極分別是陽極A，陰極

17、K和門極G晶閘管的導(dǎo)通條件是陽極加正電壓，陰極接負(fù)電壓，門極接正向電壓形成了足夠門極電流時(shí)晶閘管導(dǎo)通；關(guān)斷條件是當(dāng)晶閘管陽極電流小于維持電流IH時(shí)，導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。.。27、絕緣柵雙極型晶體管是以電力場效應(yīng)晶體管柵極；作為柵極，以以電力晶體管集電極和發(fā)射極復(fù)合而成。28、在電力晶閘管電路中，常用的過電流保護(hù)有快速熔斷器；電路串電抗器；過流時(shí)快速移相；直流快速開關(guān)；等幾種。29、晶閘管的換相重疊角與電路的觸發(fā)角α；變壓器漏抗XB；平均電

18、流Id；電源相電壓U2。等到參數(shù)有關(guān)。31、單相全波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為。三相半波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為。（電源22U26U相電壓為U2）32、要使三相全控橋式整流電路正常工作，對晶閘管觸發(fā)方法有兩種，一是用大于60小于120的寬脈沖，觸發(fā)；二是用脈沖前沿相差60的雙窄脈沖觸發(fā)。35、帶平衡電抗器的雙反星形電路，變壓器繞組同時(shí)有兩相相導(dǎo)電；晶閘管每隔60度換一次流，每只晶閘管導(dǎo)通120度，變壓器

19、同一鐵心柱上的兩個(gè)繞組同名端相反，所以以兩繞組的電流方向也相反，因此變壓器的鐵心不會被磁化。36、三相橋式全控整流電路是由一組共陰極三只晶閘管和一組共陽極的三只晶閘管串聯(lián)后構(gòu)成的，晶閘管的換相是在同一組內(nèi)的元件進(jìn)行的。每隔60度換一次相，在電流連續(xù)時(shí)每只晶閘管導(dǎo)通120度。要使電路工作正常，必須任何時(shí)刻要有兩只晶閘管同時(shí)導(dǎo)通，，一個(gè)是共陰極的，另一個(gè)是共陽極的元件，且要求不是不在同一橋臂上的兩個(gè)元件。37、從晶閘管開始承受正向電壓起到晶

20、閘管導(dǎo)通之間的電角度稱為控制角角，用α表示。38、一般操作引起的過電壓都是瞬時(shí)尖峰電壓，經(jīng)常使用的保護(hù)方法是阻容保護(hù)、而對于能量較大的過電壓，還需要設(shè)置非線性電阻保護(hù)，目前常用的方法有壓敏電阻和硒堆。。39、交流零觸發(fā)開關(guān)電路就是利用過零觸發(fā)方式來控制晶閘管導(dǎo)通與關(guān)斷的。40、型號為KS1008的元件表示雙向晶閘管管、它的額定電壓為800V、伏、額定電流為100A安。41、實(shí)現(xiàn)有源逆為的條件為要有一個(gè)直流逆變電源，它的極性方向與晶閘管的