電力電子技術(shù)試題庫答案

1、電力電子技術(shù)試題庫答案一、填空題（每空1分，共20分）1、電力電子技術(shù)是利用（電力電子器件）對(duì)電能進(jìn)行（控制、轉(zhuǎn)換和傳輸）的技術(shù).3電力電子技術(shù)研究的對(duì)象是（電力電子器件的應(yīng)用）、（電力電子電路的電能變換原理）和電力電子裝置的開發(fā)與應(yīng)用。.1957年（美國通用電氣（GE）公司）研制出第一只晶閘管，它標(biāo)志著（電力電子技術(shù)）的誕生。6、電力二極管的主要類型有（普通二極管），（快恢復(fù)二極管）和肖特基二極管。7、電力二極管的主要類型有普通二極管

2、，（快恢復(fù)二極管）和（肖特基二極管）。8、晶閘管是一種既具有（開關(guān)作用），又具有（整流作用）的大功率半導(dǎo)體器件。9、晶閘管有三個(gè)電極，分別是（陽極），（陰極）和門極或柵極。10、晶閘管有三個(gè)電極，分別是陽極，（陰極）和（門極或柵極）。11、晶閘管的正向特性又有（阻斷狀態(tài)）和（導(dǎo)通狀態(tài)）之分。12、半控型電力電子器件控制極只能控制器件的（導(dǎo)通），而不能控制器件的（關(guān)斷）。13、電流的波形系數(shù)Kf指（電流有效值）和（電流平均值）比值。14、

3、電力晶體管是一種（耐高壓）、（大電流）的雙極型晶體管。15、電力晶體管的安全工作區(qū)分為（正偏安全工作區(qū)）和（反偏安全工作區(qū)）。16、雙向晶閘管有兩個(gè)（主）電極和一個(gè)（門）極。17、雙向晶閘管有(I觸發(fā)方式)，（I觸發(fā)），III觸發(fā)和III觸發(fā)。18、IGBT的保護(hù)有（過電流保護(hù)），過電壓保護(hù)和（過熱保護(hù)）。19、降壓變換電路的輸出電壓與輸入電壓的關(guān)系為（Uo=DUd），升壓變換電路的輸出電壓與輸入電壓的關(guān)系為（Uo=Ud(1D)）。20

4、、全控型電力電子器件控制極既能控制器件的（導(dǎo)通），也不能控制器件的（關(guān)斷）。21、電力器件的換流方式有（器件換流），（電網(wǎng)換流），負(fù)載換流和脈沖換流。22、負(fù)載換流式逆變電路分為（并聯(lián)諧振式），（串聯(lián)諧振式）。23、按照穩(wěn)壓控制方式，直流變換電路可分為（脈沖寬度調(diào)制）和（脈沖頻率調(diào)制）。24、在脈沖頻率調(diào)制工作方式下，維持（ton不變）改變(Ts)。在脈沖寬度調(diào)制工作方式下，維持（Ts不變）改變(ton)。26、降壓直流變換電路輸出電壓

5、為（Uo=DUd），輸出電流為（Io=IdD）。27、GTO在門極（正脈沖電流觸發(fā)下）導(dǎo)通，在門極（負(fù)脈沖電流觸發(fā)下）關(guān)斷。28、晶閘管交流測(cè)過電壓分為（交流側(cè)操作過電壓）和（交流測(cè)浪涌過電壓）。29、在單相半波整流電路中，晶閘管所承受的最大電壓為（UTM=212U2），其最大輸出電壓為（Ud=0.45U2）。30、單相半波可控整流電路當(dāng)控制角越大，波形系數(shù)（越大），輸出電壓平均值（越小）。31、在單相全波整流電路中，晶閘管所承受的最大

6、電壓為（UTM=2212U2），其最大輸出電壓為（Ud=0.9U2）。32、單相半波帶大電感負(fù)載加續(xù)流二極管的可控整流電路中，流過晶閘管的電流平均值為（Id=（π－α）Id2π）有效值為（IT=Id【（π－α）2π】12）。33、單相半波帶大電感負(fù)載加續(xù)流二極管的可控整流電路中，流過續(xù)流二極管的電流平均值為（Id=（π＋α）Id2π）有效值為（IT=Id【（π＋α）2π】12）。單相橋式大電感負(fù)載的可控整流電路，流過每一個(gè)晶閘管的電流平

7、均值為（IdT=Id2），有效值為（IT=Id212）。35、單相全控橋整流電路電阻性負(fù)載整流輸出電壓平均值為（Ud=0.9U2(1cosα)2），而帶大電感性負(fù)載時(shí)輸出電壓平均值為（Ud=0.9U2cosα）。36單相半控橋帶大電感負(fù)載接續(xù)流二極管時(shí)，流過晶閘管的、電流平均值為（IdT=（π－α）Id2π）有效值為（IT=Id【（π－α）2π】12）。升壓直流變換電路是一種輸出電流的平均值高于輸入直流電流的變換電路。（錯(cuò)）27、升降壓

8、直流變換電路的輸出電壓平均值可以大于或小于輸入直流電壓。（對(duì)）28、庫克變換電路與升降壓變換電路本質(zhì)上是一樣的。（錯(cuò)）29、庫克變換電路與升降壓變換電路輸出輸入關(guān)系式相同，但本質(zhì)上是不一樣的。（對(duì)）30、庫克變換電路屬于升降壓型直流變換電路。（對(duì)）31、三相可控整流電路帶電感性負(fù)載時(shí)輸出電壓平均值計(jì)算公式只有一個(gè)。（對(duì)）32、硒堆可以吸收浪涌過電壓，但是用過被擊穿后就不能再用。（錯(cuò)）32、硒堆可以吸收浪涌過電壓，用過被擊穿后還能再用。（

9、對(duì)）33、硒堆長(zhǎng)期放置不用會(huì)發(fā)生儲(chǔ)存老化現(xiàn)象。（對(duì)）34、硒堆長(zhǎng)期放置不用不會(huì)發(fā)生儲(chǔ)存老化現(xiàn)象。（錯(cuò)）35、如果控制角太小，會(huì)造成逆變失敗。（錯(cuò)）36、如果逆變角太小，會(huì)造成逆變失敗。（對(duì)）37、交流調(diào)壓電路是既改變頻率，又改變輸出電壓的幅值的電路。（錯(cuò)）38、交流調(diào)壓電路是維持頻率不變，只改變輸出電壓的幅值的電路。（對(duì)）39、交流調(diào)壓電路是維持輸出電壓的幅值不變，只改變頻率的電路。（錯(cuò)）雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中I＋觸發(fā)靈敏度最高。（

10、對(duì)）41、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中III觸發(fā)靈敏度最高。（錯(cuò)）42、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中III＋觸發(fā)靈敏度最高。（錯(cuò)）43、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中I觸發(fā)靈敏度最高。（錯(cuò)）44、IGBT是將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身。（對(duì)）45、峰點(diǎn)電流是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小電流。（對(duì)）46、谷點(diǎn)電流是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小電流。（錯(cuò)）47、單結(jié)晶體管自激振蕩電路可以觸發(fā)電阻性負(fù)載和電感性負(fù)載電路。（錯(cuò)）48、單結(jié)晶體管自激振蕩

11、電路只能觸發(fā)電阻性負(fù)載電路。（對(duì)）49、單結(jié)晶體管自激振蕩電路只能觸發(fā)電感性負(fù)載電路。（錯(cuò)）三、名詞解釋（每題4分，共12分）晶閘管的額定電壓：門極斷開（Ig=0），元件處在額定結(jié)溫時(shí)，正向陽極電壓為正向阻斷不重復(fù)峰值電壓UDSM（此電壓不可連續(xù)加壓）的80％所對(duì)應(yīng)的電壓稱為正向重復(fù)峰值電壓UDRM（此電壓可重復(fù)施加，其重復(fù)頻率為50Hz，每次持續(xù)時(shí)間不大于10ms）。元件承受反向電壓時(shí)，陽極電壓為反向不重復(fù)峰值電壓URSM的80％所對(duì)

12、應(yīng)的電壓，稱為反向重復(fù)峰值電壓URRM。晶閘管銘牌標(biāo)注的額定電壓，通常取與中的最小值，然后取標(biāo)準(zhǔn)系列。晶閘管的額定電流：在環(huán)境溫度為400和規(guī)定的冷卻條件下，晶閘管在電阻性負(fù)載導(dǎo)通角不小于1700的單相工頻正弦半波電路中，當(dāng)結(jié)溫穩(wěn)定且不超過額定結(jié)溫時(shí)，所允許的最大通態(tài)平均電流，稱為額定通態(tài)平均電流，用IT(AV)表示，將此電流按表1.2.4（見后）所示的晶閘管標(biāo)準(zhǔn)電流系列取相應(yīng)的電流等級(jí)，稱為元件的額定電流。3、動(dòng)態(tài)平均電壓（管壓降）：

13、在規(guī)定的環(huán)境溫度、標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)元件流過正弦半波的額定電流平均值和處于穩(wěn)定結(jié)溫時(shí)，元件陽極與陰極之間電壓降的平均值稱為通態(tài)平均電壓。4、維持電流：在室溫下門極斷開時(shí)，元件從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持導(dǎo)通的最小陽極電流為維持電流。5、掣住電流：在晶閘管加上觸發(fā)電壓，當(dāng)元件從阻斷狀態(tài)剛好轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)就去除觸發(fā)電壓，此時(shí)要保持元件導(dǎo)通所需要的最小陽極電流稱為掣住電流。6、晶閘管斷態(tài)電壓臨界上升率：晶閘管的結(jié)在阻斷狀態(tài)下相當(dāng)于一個(gè)電容，若