國(guó)內(nèi)外rfid技術(shù)研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)

1、國(guó)內(nèi)外國(guó)內(nèi)外RFIDRFID技術(shù)研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)技術(shù)研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院上?？萍疾樾伦稍冎行淖髡撸侯櫿鹩?010103015:04:25評(píng)論0條1技術(shù)概述技術(shù)概述RFID射頻識(shí)別技術(shù)實(shí)際上是一項(xiàng)較早的技術(shù)，在20世紀(jì)60年代的時(shí)候，RFID射頻識(shí)別技術(shù)的理論已經(jīng)得到發(fā)展，并且開(kāi)始了一些嘗試性的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代起，這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)入商業(yè)應(yīng)用階段。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，13.56MHz以下的RFID技術(shù)已相對(duì)成熟，目前業(yè)界最關(guān)注的

2、是位于中高頻段的RFID技術(shù)，特別是860MHz960MHz（UHF超高頻段）的遠(yuǎn)距離RFID技術(shù)發(fā)展最快[1]。表1RFIDRFID技術(shù)發(fā)展的歷程技術(shù)發(fā)展的歷程從分類上看，RFID技術(shù)根據(jù)電子標(biāo)簽工作頻率的不同通?？煞譃榈皖l系統(tǒng)（125kHz、134.2kHz），高頻系統(tǒng)無(wú)源電子標(biāo)簽不含電池，它接收到讀寫(xiě)器發(fā)出的微波信號(hào)后，利用讀寫(xiě)器發(fā)射的電磁波提供能量，無(wú)源標(biāo)簽一般免維護(hù)，重量輕、體積小、壽命長(zhǎng)、較便宜，但其閱讀距離受到讀寫(xiě)器發(fā)射能

3、量和標(biāo)簽芯片功能等因素限制；半有源標(biāo)簽內(nèi)帶有電池，但電池僅為標(biāo)簽內(nèi)需維持?jǐn)?shù)據(jù)的電路或遠(yuǎn)距離工作時(shí)供電，電池能量消耗很少；有源標(biāo)簽工作所需的能量全部由標(biāo)簽內(nèi)部電池供應(yīng)，且它可用自身的射頻能量主動(dòng)發(fā)送數(shù)據(jù)給讀寫(xiě)器，閱讀距離很遠(yuǎn)（可達(dá)30米），但壽命有限，價(jià)格昂貴。2國(guó)外現(xiàn)狀國(guó)外現(xiàn)狀從全球的范圍來(lái)看，美國(guó)政府是RFID應(yīng)用的積極推動(dòng)者，在其推動(dòng)下美國(guó)在RFID標(biāo)準(zhǔn)的建立、相關(guān)軟硬件技術(shù)的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用領(lǐng)域均走在世界前列。歐洲RFID標(biāo)準(zhǔn)追隨美國(guó)主