基于RapidIO的大容量固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、在軍事運(yùn)用領(lǐng)域，由于其對(duì)硬件環(huán)境要求的嚴(yán)苛性，機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備無法滿足需求，絕大部分場(chǎng)合都是使用固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)。早期的軍用實(shí)現(xiàn)方案為基于掉電備份的DRAM存儲(chǔ)，但由于該技術(shù)需要獨(dú)立的供電系統(tǒng)，系統(tǒng)功耗高、存儲(chǔ)的容價(jià)比高等缺點(diǎn)，已逐漸被淘汰，轉(zhuǎn)而由基于閃存的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。
　　存儲(chǔ)在軍事場(chǎng)合的應(yīng)用，如雷達(dá)前端采集數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)、傳感器前端采集數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)等，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求大部分是：連續(xù)寫入；寫入、讀取帶寬需持續(xù)保證；系統(tǒng)需

2、具備文件刪除等管理功能。面對(duì)這些需求，若直接采用固態(tài)存儲(chǔ)盤（SSD）來進(jìn)行存儲(chǔ)管理，可能會(huì)存在多次寫入、刪除文件操作后，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)速度變慢，寫入帶寬短時(shí)間內(nèi)不滿足最低存儲(chǔ)要求的情況。為了避免這些問題，目前廣泛使用的方法是采用NAND Flash顆粒組成專用存儲(chǔ)系統(tǒng)。早期國內(nèi)各大院校以及科研機(jī)構(gòu)都開發(fā)出過基于NAND Flash顆粒的大容量存儲(chǔ)設(shè)備，但大部分的設(shè)計(jì)方案還是停留在簡單的順序存儲(chǔ)、讀取設(shè)計(jì)上，也就是不支持文件的管理，對(duì)多用戶接入

3、、多數(shù)據(jù)源存儲(chǔ)、讀寫同時(shí)操作的應(yīng)用場(chǎng)合是不能夠很好的支持。
　　針對(duì)日益變化的存儲(chǔ)需求，本文設(shè)計(jì)了一種基于RapidIO接口的固態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng)。該存儲(chǔ)系統(tǒng)采用同步MLC NANDFlash作為存儲(chǔ)介質(zhì)，使用16通道8級(jí)流水寫入技術(shù)，使后端連續(xù)存儲(chǔ)速度可達(dá)4GB/s以上，且隨機(jī)1MB塊數(shù)據(jù)讀取速度可達(dá)2.4GB/s以上。ECC處理方面則采用BCH編解碼算法，每個(gè)通道使用一個(gè)帶寬達(dá)200MB/s的處理核，從而使整個(gè)系統(tǒng)的ECC處理帶寬大于