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1、硅和碳化都是優(yōu)良的的半導(dǎo)體材料。由于硅的帶隙比較窄限制了硅材料的發(fā)光,多孔硅在室溫下的光致發(fā)光現(xiàn)象發(fā)現(xiàn)以來(lái),半導(dǎo)體發(fā)光材料的研究進(jìn)入了一個(gè)新時(shí)代。這一發(fā)現(xiàn)時(shí)硅基發(fā)光器件和光電子器件的發(fā)展指明新的路線。碳化硅薄膜具有很好的藍(lán)光發(fā)射,而多孔硅的光致發(fā)光波長(zhǎng)幾乎覆蓋了紫外到紅外的范圍,所以,我們通過(guò)多孔硅襯底沉積碳化硅薄膜得到更好的具有藍(lán)光發(fā)射的硅基發(fā)光材料。
本論文采用的是磁控濺射的方法在多孔硅襯底上沉積SiC一層薄膜,然后研
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