分子印跡聚合物膜修飾電極的研究.pdf

1、本論文共分為三個(gè)部分，包括結(jié)論、化學(xué)方法合成分子印跡聚合物膜修飾電極的研究和應(yīng)用、電化學(xué)方法合成分子印跡聚合物膜修飾電極的研究和應(yīng)用。 第一章為緒論部分。對(duì)化學(xué)修飾電極的基本理論知識(shí)、發(fā)展歷史、現(xiàn)狀以及分子印跡技術(shù)的相關(guān)原理、特點(diǎn)進(jìn)行了較為全面的評(píng)述，綜合以上兩方面對(duì)分子印跡聚合物膜修飾電極的發(fā)展現(xiàn)狀及前景也做了介紹，詳細(xì)總結(jié)了本文的選題思路、研究特色和創(chuàng)新點(diǎn)。 第二章是化學(xué)方法合成分子印跡聚合物膜修飾電極的研究和應(yīng)用。

2、把傳統(tǒng)而成熟的分子印跡聚合物的合成方法，即自由基引發(fā)雙鍵加成反應(yīng)，直接借鑒過(guò)來(lái)，在自制的碳棒電極表面原位合成分子印跡聚合物膜，模板分子香草醛主要是通分子間氫鍵與功能單體作用，是分子印跡中形狀識(shí)別外的另一個(gè)識(shí)別因素。實(shí)驗(yàn)得到的修飾電極對(duì)目標(biāo)物香草醛分子有比較好的響應(yīng)，電洗脫能有效除去目標(biāo)物，省時(shí)且操作簡(jiǎn)單，檢測(cè)和洗脫同步完成，在實(shí)驗(yàn)條件吸附時(shí)間選擇5min時(shí)，到線性范圍為2.0×10<'-4>—1.0×10<'-2>mol/L，且可根據(jù)需

3、要選取合適的吸附時(shí)間得到不同范圍。分子印跡膜修飾電極有一定的選擇性，可以排除大部分相似物的干擾。 第三章是電化學(xué)方法合成分子印跡聚合物膜修飾電極的研究的應(yīng)用。利用能發(fā)生電聚合的體系來(lái)制做分子印跡聚合物，最終用鄰苯二胺制得了香草醛的分子印跡聚合物膜修飾電極，其中巧妙地運(yùn)用了胺和醛反應(yīng)生成席夫堿的特性，鄰苯二胺既是聚合單體，又是和模板分子香草醛相互作用的功能單體，并且它們之間的作用力屬分子印跡中的共價(jià)鍵作用，鍵能較大，結(jié)合比牢固。而