磁控濺射制備氮化銅及錳摻雜氮化銅薄膜的研究.pdf

1、氮化銅薄膜具有良好的光電性能，其具有低溫?zé)岱纸庑浴⒏唠娮杪?且無毒、原材料價格便宜,常溫下在空氣中非常穩(wěn)定的特點。
　　本文采用射頻反應(yīng)磁控濺射制備氮化銅薄膜，研究其在不同濺射功率下薄膜的結(jié)晶、光學(xué)、電學(xué)等性質(zhì)與薄膜結(jié)構(gòu)、濺射功率的關(guān)系，進一步探究了制備硅基底氮化銅薄膜制備的最優(yōu)化條件，并進一步的分析了其更深層的變化規(guī)律和機理。為進一步改進制備氮化銅的工藝，甚至摻雜改性提供方向。我們借用 X射線衍射儀對所得的氮化銅薄膜的樣品進行結(jié)

2、構(gòu)表征；用掃描電子顯微鏡對樣品的表面形貌進行觀測、分析；采用了四探針測電阻率的方法分析了薄膜的電阻率；最后使用紫外可見分光光度計測量薄膜的反射光譜以分析其的光學(xué)特性,進一步分析了的研究了制備的薄膜樣品的電學(xué)性質(zhì)。
　　該論文還通過磁控濺射對錳摻雜氮化銅的制備、對其結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)、力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和磁學(xué)性質(zhì)進行了研究。通過制備條件選擇氮化銅最優(yōu)結(jié)構(gòu)，為錳摻雜條件的確定奠定了基礎(chǔ)，XRD分析表明，所有這些材料組成了氮化銅晶體的反Re