接觸輝光放電等離子體產(chǎn)生的羥基自由基的檢測(cè)及其在聚合反應(yīng)中的應(yīng)用.pdf

1、低溫等離子體技術(shù)是上世紀(jì)后期出現(xiàn)的一種新型水處理技術(shù)，即在常溫常壓下，通過(guò)非法拉第電解可以產(chǎn)生大量活性粒子，如羥基自由基（·OH）(標(biāo)準(zhǔn)氧化電位為2.80V)，以及紫外線和沖擊波，對(duì)水體中的污染物有很強(qiáng)的破壞作用。
　　 該類(lèi)報(bào)道甚多，相對(duì)而言，對(duì)于活性粒子的測(cè)定研究較少。本文的目的之一就是研究輝光放電電解等離子體中羥基自由基的測(cè)定方法；同時(shí)研究了自由基引發(fā)的聚合反應(yīng)，合成高分子阻垢劑。結(jié)果表明，所建立的分析方法和合成方法均有實(shí)

2、際應(yīng)用價(jià)值。
　　 論文由五章組成:
　　 第一章介紹了等離子體的基本概念，綜述了羥基自由基的檢測(cè)方法和應(yīng)用范圍、自由基引發(fā)阻垢劑合成的現(xiàn)狀，最后，簡(jiǎn)要介紹了實(shí)驗(yàn)中用到的正交實(shí)驗(yàn)方法。
　　 第二章以水楊酸為捕獲劑，采用高效液相色譜檢測(cè)了接觸輝光放電產(chǎn)生的羥基自由基，在體系pH 值為3.2的條件下，考察了放電電壓和溶液電導(dǎo)率對(duì)輝光放電等離子體中產(chǎn)生的羥基自由基濃度的影響，并半定量地計(jì)算了輝光放電電解過(guò)程中羥基自由

3、基的產(chǎn)量與實(shí)驗(yàn)條件之間的關(guān)系。
　　 第三章對(duì)輝光放電等離子體技術(shù)引發(fā)合成高分子聚合馬來(lái)酸酐-丙烯酰胺共聚物阻垢劑進(jìn)行了研究，借助正交設(shè)計(jì)法,考察了原料濃度、電壓、后聚合時(shí)間等因素對(duì)聚合物分子量、阻垢率的影響。
　　 第四章對(duì)輝光放電等離子體技術(shù)引發(fā)合成高分子聚合馬來(lái)酸酐-丙烯酸共聚物阻垢劑進(jìn)行了研究，借助正交設(shè)計(jì)法,考察了原料濃度、電壓、后聚合時(shí)間等因素對(duì)聚合物分子量、阻垢率的影響。
　　 第五章對(duì)輝光放電等離