基于蒙特卡羅方法的晶粒生長(zhǎng)模擬系統(tǒng)研究.pdf

1、對(duì)大多數(shù)材料而言，其晶粒尺寸大小及均勻性是決定材料性能優(yōu)劣的關(guān)鍵因素之一。運(yùn)用蒙特卡羅方法模擬晶粒生長(zhǎng)過(guò)程，不僅可以獲得晶粒尺寸變化的信息，而且可以直觀(guān)地觀(guān)察到晶粒形貌的演變。因此，建立蒙特卡羅模型以模擬晶粒生長(zhǎng)，探討晶粒的生長(zhǎng)機(jī)理具有重要意義。 通過(guò)對(duì)焙燒過(guò)程中晶粒生長(zhǎng)機(jī)理的研究，提出了改進(jìn)的晶粒生長(zhǎng)躍遷概率蒙特卡羅模型，優(yōu)化了模擬過(guò)程的算法，建立了模擬晶粒生長(zhǎng)形貌演變的三維蒙特卡羅模型，開(kāi)發(fā)了晶粒生長(zhǎng)模擬系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)焙燒過(guò)

2、程中晶粒生長(zhǎng)和形貌演變的仿真。 通過(guò)模擬系統(tǒng)對(duì)晶粒生長(zhǎng)的仿真，討論了焙燒溫度對(duì)晶粒尺寸分布的影響，仿真結(jié)果表明在較低溫度下晶粒尺寸很小，尺寸分布相對(duì)集中，說(shuō)明低溫抑制了晶粒的生長(zhǎng)；隨著溫度的升高，尺寸分布發(fā)生寬化，峰值下降，說(shuō)明晶粒平均尺寸增大，并且晶粒尺寸不均一；當(dāng)溫度繼續(xù)升高，晶粒尺寸分布再次集中并且峰值右移，說(shuō)明晶粒平均尺寸繼續(xù)增大并且具有較好的均一性。分析表明焙燒溫度是影響晶粒尺寸均一性的重要工藝參數(shù)，同時(shí)研究了焙燒溫度